Странице предмета

Поређење CMOS и биполарне технологије. Основне особине МОС транзистора. Ефекти другог реда у МОС транзистору (ефекат подлоге, модулација дужине канала, режим слабе инверзије, деградација покретљивости са вертикалним електричним пољем, засићење брзине у режиму јаке инверзије, пробој, ефекат врућих електрона...).Ограничења скалирања у случају МОС транзистора. Великосигнална шема и одговарајуће капацитивности МОС транзистора. Малосгинална шема и параметри МОС транзистора (транскондуктанса, транскондуктанса утицаја подлоге, излазна отпорност). Пасивне компоненте (отпорници, кондензатори и индуктори) и прецизност њихове израде у интегрисаним колима. Мере неупарености компоненти и кола. Технике лејаута (вишепрсна структура, заједнички центроид, interdigitated, постављање компоненти једних поред других, лажне ћелије, супстратни контакти, упаривање контаката и веза, оклапање). Антена ефекат у интегрисаним колима. Примери упаривања у струјном огледалу, напонском разделнику, диференцијалном пару. Једностепени појачавачи (заједнички сорс, заједнички дрејн, заједнички гејт). Каскодни појачавач и пресавијени каскодни појачавач. Струјна огледала. Варијанта струног огледала у случају нисконапонских технологија. Диференцијални појачавач са различитим врстама оптерећења (отпорници, активно оптерећење, струјно огледало...). Фактори потискивања сметњи из напајања и потискивање заједничког сиганала у случају диференцијалног појачавача.